PowerMOSFET全称为功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管。其电气符号及基本接法如图1-22所示。
PowerMOSFET有三个电极，即源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。控制信号UGS加于栅极和源极之间,改变UGS的大小，便可改变漏极电流Ip的大小。由于栅源极之间的阻抗非常大，因此西门子PLC控制柜电流可以极小，几乎为0,所以驱动功率很小西门子维修。
器件内寄生有反向二极管,它在变频器电路中起续流保护作用。
西门子PLC控制柜主要参数如下。
1、最大漏极电流M是允许连续运行的最大漏极电流。
2、击穿电压U是指漏极与源极之间的击穿电压，也就是指管子在截止状态下，漏极与源极之间的最大维持电压。
4、导通电阻Ron是MOSFET管子导通时，漏极与源极之间的电阻值。Ron决定了管子的通态损耗。导通电阻Ron具有正温度系数，即电流越大，Ron的值也因附加发热而自行增大，因此它对电流的增加有抑制作用。这在器件并联应用时有自动均衡电流的效果。
5、开关频率MOSFET的开关速度和工作频率要比GTR高1～2个数量级。一般MOSFET的开关时间仅为几微秒至几十微秒,最高频率可达500kHz以上西门子维修
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